电子产品测试工装_电子产品测试工装GND探针一般要求

对于DC-DC芯片来说，很大一部分的工作效率的损失来自开关管的导通损耗及开关损耗。当芯片开关上升和下降时间短，开关频率较低时，导通损耗便占了芯片总功耗的很大部分。

 

随着科技的发展，电子产品的快速更新，对于电源管理芯片的要求也越来越高更小的封装尺寸更大的负载电流 更高的工作效率 更低的功率损耗 更低的工作温升 芯片的工作效率就变得尤为重要了对于DC-DC芯片来说，很大一部分的工作效率的损失来自开关管的导通损耗及开关损耗。

当芯片开关上升和下降时间短，开关频率较低时，导通损耗便占了芯片总功耗的很大部分开关导通阻抗（Rdson）的大小决定了导通损耗的大小，所以对于AE而言，精确测量Rdson就很重要降压芯片Rdson常用测量方法的介绍

利用100%占空比测量上管Rdson将芯片FB脚对GND短路，将R1分压电阻去掉，此时芯片会以100%占空比工作即上管Q1会长开，下管Q2会关断，Vout近似等于VCCVCC供电，在Vout与GND之间拉取电流负载IL（电流尽量避免过大，以免温度影响上管Rdson阻值），即流过上管Q1的电流，电流方向如图1所示。

此时测量a点与b点的电压值U并记录（电压测量点必须紧贴芯片引脚端，最大程度减小PCB走线阻抗）

由欧姆定律R=U/I，可以计算出Rdson阻值可以取多组数据，取平均值以减小误差注意：此方法只有在芯片上管是PMOS，可以100%占空比工作，才适用利用示波器进行Rdson测量简单估算示波器3通道探棒接芯片SW脚（探针紧贴SW引脚，接地线紧贴GND引脚减小PCB走线阻抗），示波器通道4电流探头（型号：TeKtronixTCP202）测试电感电流。

VCC供电，让芯片工作在PWM电流连续模式，测试通道3和通道4波形。

测试通道3图中蓝色为SW电压波形，红色为电感电流波形；将黄色标示放大后继续观察波形

测试通道4通过观察可以发现：当上管导通时SW电压是随电感电流增大而减小的，因此我们可以用以下公式粗略估算上管Rdson：Rdson=△Vsw/△IL△Vsw=VA-VB △IL=ID-IC同理，此方法亦可粗略估算下管Rdson

精确估算示波器通道1接Vin脚（探针紧贴Vin引脚，接地线紧贴GND引脚，减小PCB走线阻抗），示波器3通道探棒接芯片SW脚（探针紧贴SW引脚，接地线紧贴GND引脚，减小PCB走线阻抗），示波器通道4电流探头（型号：TeKtronixTCP202）测试电感电流。

VCC供电，让芯片工作在PWM电流连续模式，测试通道3和通道4波形。

测试通道3图中蓝色为SW电压波形，红色为电感电流波形；黄色为Vin电压波形，将绿色标示放大后继续观察波形

测试通道4通过观察可以发现：◆当在t1时刻时，PMOS两端电压△Vmos1=V1-V3，而此时流过上管电流为I1，那么t1时刻，上管Rdson1=△Vmos1/I1 =(V1-V3)/I1◆当在t2时刻时，PMOS两端电压△Vmos2=V2-V4，而此时流过电流为I2，那么t2时刻，上管Rdson2=△Vmos2/I2

=(V2-V4)/I2◆由分式合分比定理可以得出Rdson=

即Rdson=

对于"利用100%占空比测量上管Rdson"的测试，其局限性在于芯片本身可以100%占空比工作；但其测试值误差较小，相对精确（忽略芯片内部绑定线阻抗）对于"利用示波器进行Rdson测量"‍测试的简单估算，其测试值误差相对较大，但可以用此方法测试下管Rdson。

对于"利用示波器进行Rdson测量"测试的精确估算，其测试值误差较小，相对精确（忽略芯片内部绑定线阻抗）；但测试过程相对繁琐，且受限示波器精度影响测试Rdson时，可根据实际条件灵活测试该内容是小编转载自网络，仅供学习交流使用，如有侵权，请联系删除。

如果你还想了解更多关于电子元器件的相关知识及电子元器件行业实时市场信息，敬请关注微信公众号 【上海衡丽贸易有限公司】主要以代理：铝电解电容、薄膜电容、MOSFET、压敏电阻、保险丝等国产知名品牌元器件