电子产品可靠性试验_电子产品可靠性试验解决接线端子松动的方法

电子元器件在设计生产时，要进行一系列的可靠性试验来保证产品质量，提高合格率。本文介绍电子元器件可靠性试验方法与对应的可靠性试验会暴露哪些缺陷。

 

电子元器件在设计生产时，要进行一系列的可靠性试验来保证产品质量，提高合格率本文介绍电子元器件可靠性试验方法与对应的可靠性试验会暴露哪些缺陷（可左右拖动表格）试验类型可靠性基础试验方法试验目的可能暴露的缺陷。

应用电应力＋热应力试验高温静态老炼剔除有隐患的元器件或剔除有制造缺陷的元器件（剔除早期失效的元器件）扩散缺陷键合缺陷电迁移金属化缺陷 参数漂移筛选试验 可靠性试验 寿命试验高温动静态老炼筛选试验可靠性评价

寿命试验高温交流工作高温反偏低温工作热载流子效应可靠性评价气候环境应力试验高温贮存考核元器件在高温条件下工作或贮存的适应能力电稳定性金属化缺陷腐蚀引线键合鉴定检验筛选试验可靠性评价温度循环考核元器件在短期内反复承受温度变化的能力及不同结构材料之间的热匹配性能

封装的密封性引线键合芯片粘片硅（裂纹）PN结热缺陷鉴定检验可靠性评价热冲击考核元器件在突然遭到温度剧烈变化时的抵抗能力及适应能力的试验封装的密封性引线键合芯片粘片硅（裂纹）PN结热缺陷鉴定检验可靠性评价

交变湿热试验确定元器件在高温、高湿度或伴有温度湿度变化条件下工作或贮存的适应能力外引线腐蚀外壳腐蚀离子迁移封装材料（绝缘、膨胀和机械性能）鉴定检验可靠性评价与封装有关的试验内部水汽含量试验测定在金属或陶瓷气密封装器件内的气体中水汽的含量，它是破坏性试验

封装内水汽含量鉴定检验可靠性评价键合强度试验检验元器件键合处（如微电路封装内部的内引线与芯片和内引线与封装体内外引线端）的键合强度封装内水汽含量鉴定检验可靠性评价芯片剪切强度试验考核芯片与管壳或基片结合的机械强度

芯片粘片鉴定检验可靠性评价与引线有关的试验外引线可焊性试验考核外引线低熔点焊接能力外引线可焊性鉴定检验可靠性评价涂敷层附着力试验考核外引线各涂敷层的牢固性外引线涂敷层牢固性鉴定检验可靠性评价外引线抗拉试验

考核外引线在与其平行方向拉力作用下的引线牢固性和封装密封性引线牢固性封装密封性鉴定检验可靠性评价外引线抗弯试验考核外引线受弯曲应力作用（外引线在与其垂直方向的力）时的劣化程度外引线抗疲劳试验考核外引线抗金属疲劳的能力

外引线抗扭矩试验考核外引线受扭转应力作用（外引线在与其垂直方向的力）时的劣化程度与标志、标识有关的试验耐溶性试验验证当器件受到溶剂作用时，其标志是否会变模糊标记附着性差鉴定检验可靠性评价特殊试验静电放电敏感度试验

考核元器件抗静电放电能力抗静电能力鉴定检验可靠性评价X射线透视检测元器件封装内缺陷，特别是密封工艺引起的缺陷和诸如多余物、错误的内引线连接、芯片粘结空洞等内部缺陷芯片粘片引线形状封装异物芯片裂纹分析筛选试验

声学扫描显微镜利用超声波不同材料接触面的反射特性非破坏性地查找物理缺陷封装材料的空洞、裂纹和分层；芯片的裂纹和粘结空洞等分析筛选（主要用于塑封器件）气候环境应力试验盐雾考核元器件在盐雾环境下的抗腐蚀能力

外壳腐蚀外引线腐蚀金属化腐蚀电参数漂移鉴定检验可靠性评价低气压试验考核元器件对低气压工作环境的适应能力绝缘（电离、放电和介质损耗）PN 结温度可靠性评价机械环境应力试验恒定加速度确定元器件在离心加速度作用下的适应能力或评定其结构的牢靠性；检验并筛选掉粘片欠佳、内引线与键合点强度较差的器件

封装结构缺陷芯片粘片引线键合芯片裂纹机械强度鉴定检验筛选试验可靠性评价扫频振动寻找被试验的试验样品的各阶固有频率及在这个频率段的耐振情况引线键合芯片粘片芯片裂纹鉴定检验可靠性评价振动噪声考核在规定振动条件下有没有噪声产生

封装异物封装结构缺陷振动疲劳考核在规定的频率范围内，外载荷的长时间激励对集成电路封装的影响引线键合芯片粘片芯片裂纹封装结构缺陷机械冲击确定元器件受到机械冲击时的适应性或评定其结构的牢靠性封装结构缺陷封装异物

芯片粘片引线键合芯片裂纹外引线缺陷与封装有关的试验密封-粗检漏确定具有内空腔的元器件和含有封装的元器件的气密性封装的密封鉴定检验筛选试验可靠性评价密封-细检漏PIND 试验检验封装腔体内是否存在可动多余物，可动导电多余物可能导致微电路等的内部短路失效

封装异物鉴定检验筛选试验可靠性评价特殊试验扫描电镜通过对入射电子与样品表面互相作用产生二次电子信号检测得到样品表面放大的图像芯片表面缺陷引线材料表面缺陷键合缺陷分析能谱分析通过对入射电子与样品表面互相作用产生俄歇电子信号检测得到样品表面检测点的元素成分

表面成分分析辐射应力试验总电离剂量辐照对已封装的半导体集成电路进行钴60γ射线源电离辐射总剂量作用，以评价低剂量率电离辐射对器件的作用（明显的时变效应）漏电流增大工作速度改变参数和功能失效增益下降衰减增大

翻转烧毁闩锁暗电流增大鉴定检验可靠性评价中子辐射检测和测量半导体器件关键参数在中子环境中的退化与中子注量的关系单粒子效应获得器件单粒子翻转截面、锁定截面与入射离子LET的关系，测定半导体器件单粒子翻转与锁定的敏感性；考核MOSFETs单粒子烧毁和栅穿的敏感度